Arbeitspunkteinstellung von Transistoren (Bipolar?)

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Bei Fragen zu Hausaufgaben sollte eine Vorleistung erbracht worden sein. Diese auch bei der Anfrage einbringen.

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Arbeitspunkteinstellung von Transistoren (Bipolar?)

Neuer Beitragvon Haroeris am Freitag 15. September 2006, 05:41

Hi Leute,
Ich raff dass mit der Arbeitspunkteinstellung beim Transistor noch immer nicht ganz.(Boa :oops: 3. Lehrjahr Elektroniker Geräte und Systeme)
Besser gesagt das Arbeiten mit Werten aus der Kennlinie.
Kann da wer was mit Erklärung posten?
Vielleicht ein Auszug aus nem Datenblatt mit angenommener Erklärung?
Im ELKO (Elektronik Kompendium) hab ich schon nachgelesen, aber da gehts speziell um eine Emitter-Schaltung... :?

Aja, ich weis wie man nen Transistor als Schalter einsetzt, da komm ich auch noch klar...aber sonst hatte ich noch mit keinem zu tun, wird aber in der Abschlussprüfung gefragt.

Wäre sehr über Hilfe erfreut,

Grüße!
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Neuer Beitragvon peterpan am Freitag 15. September 2006, 12:07

Hallo,

vielleicht hilft Dir das weiter.
(Korrektur: Der Pfeil von Ui muß in die andere Richtung zeigen)

Bis bald,
Peter Pan
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Neuer Beitragvon Haroeris am Freitag 15. September 2006, 15:59

Geht nicht.... habe leeren Bilkdschirm wenn ich downloaden will.
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Neuer Beitragvon Electronic-TIGER am Freitag 15. September 2006, 20:01

Geht bei mir auch nicht :cry:
Kannst du ein paar Screenshots von den wichtigesten Sachen machen?
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Neuer Beitragvon derguteweka am Samstag 16. September 2006, 09:47

Moin,

also bei mir klappt das mit dem pdf runterladen; scheint wohl irgendwas an euren Rechnern zu klemmen.

Gruss
WK
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Neuer Beitragvon Haroeris am Sonntag 17. September 2006, 17:55

:oops: :oops: :oops: :oops: :oops: :oops: :oops:
Danke, geht doch!!

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Gute erklärung DANKE!!!!
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Neuer Beitragvon Stromus am Freitag 6. Oktober 2006, 12:33

Hallo Peter,

die Berechnung der Emitterschaltung ist interessant, aber beinhaltet meines Erachtens einige Fehler:

1. Die Berechnung des Eingangswiderstandes der Transistorschaltung ist korrekt nur dann, wenn der Emitterwiderstand gänzlich überbrückt wird. In diesem Fall sollte XC1 ein Zehntel davon betragen => XC1 = Re/10 = 2465Ohm/10 = 246,5Ohm. Dieser Fehler macht sich hier zum Glück nicht bemerkbar, da aufgrund einer weiteren Fehlerbetrachtung (darauf komme ich im Pkt.2) der Eingangswiderstand wieder erhöht wird. Das wird erreicht durch Aufteilung des Emitterwiderstandes RE in RE1+RE2. Der sagen wir mal sonst kleine rbe wird nun unterstützt durch Beta*RE1, so dass jetzt:

Re = 1/[1/R1 + 1/R2 + 1/(rbe + Beta*RE1)]

Damit wird Re größer als hier dargestellt und der Dimensionierungsfehler von C1 wird wieder kompensiert.

2. Die ursprüngliche Verstärkung:

vu = Rc/RE = 7,5 stimmt auch nicht, denn die wechselspannungsmäßige Überbrückung von RE durch Ce wirft die Verstärkung sehr hoch. Sie beträgt dann korrekterweise:

vu = Rc/re' oder = Beta * (Rc/rbe),

wobei re' = ca. 25mV/Ie = ca. 12,5 => vu = 450

vu ist somit viel höher als nur 7,5.

Damit wenn der Emitterwiderstand nicht aufgeteilt wäre, so wäre nicht die gesamte Eingangsspannung (40mV) mit diesem Faktor (vu = 450) verstärkt, sondern nur etwa die Hälfte, denn durch den Fehler unter Pkt.1 bildet sich ein Spannungsteiler zwischen XC1 und dem Einganswiderstand der Transistorschaltung.
Hierbei ist XC1 = Re => auf rbe kommt nur die Hälfte der 40mV zustande.
Stromus
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