AM-Modulator Schaltun (vereinfacht)

[Dr.MaWa]

Hallo,
habe eine einfache Schaltung von einer AM-Modulation.
Mit einem HF eingang (100mV(ss))/100kHz), der über einen widerstand (10k)an den Drain-Eingang einen Mosfet (2N3819) geht.
Und einen NF eingang (2V(ss)/400Hz), der über ein 2,5k Poti und einen Widerstand (10k) auf den Gate eingang des Potis geht. HF und NF werden mit einem Frequenzgenerator eingespeist.
der Source-Ausgang liegt auf Masse.
Mit einem Oszi (parallel zu Drain und Source), möchte ich die beiden überlagerten Frequenzen für Schulungszwecke ansehen.
aber irgend wie funktioniert das nicht so, wie ich das erhofft habe.
Kann mir jemand sagen, was ich falsch gemacht habe?
Oder hat jemand eine andere Schaltung für mich, die mit eben so einfachen mitteln afzubauen sind.
MFG
Dr.MaWa

[Erfinderlein]

Hallo Herr Doktor,

wenn sie das was sie uns da beschreiben, mal aufzeichnen werden sie bereits feststellen, dass das nicht funktionieren kann.

Habe noch keinen FET gesehen, welcher mit 100 mV Drain Source Spannung auskommt.

In einer normalen Verstärker-Schaltung mit einem Sourcewiderstand, an dem sie die Modulation einbringen würden, kann ich mir das eher vorstellen.

LG aus GR

[peterpan]

Hallo

ich hab es mal mit dieser Schaltung vorgeführt.
Die Gleichspannung dient der Arbeitspunkteinstellung. Der Schwingkreis filtert die modulierte HF-Spannung heraus. Über R2 kann diese Spannung sichtbar gemacht werden.

Bis bald
Peter Pan

[Stromus]

@peterpan,

und wo ist die Modulation?

[Stromus]

jetzt sehe ich endlich die Schaltung.

@Erfinderlein

woran liegt es, dass die Bilder nicht immer zu sehen sind?

[anders]

@Stromus: Das liegt am Login

...
Habe noch keinen FET gesehen, welcher mit 100 mV Drain Source Spannung auskommt.
....
LG aus GR

Doch das geht schon. Der FET läuft hier ja nur als steuerbarer Widerstand.

@Dr.MaWa:
Mit dem FET geht das sicher schöner als mit dem gezeigten Diodenmodulator.
Wenn nicht, wird ein Schaltungsfehler vorliegen.
Was soll ich mir unter "auf den Gate eingang des Potis geht" vorstellen ?

Ich würde den Drainwiderstand, über den die HF kommt, etwas niederohmiger wählen, und die NF dem Gate über einen Kondensator (100nF) zuführen. Das Gate wird dann über ein Poti soweit mit Gleichspannung vorgespannt, daß die HF zwischen S und D gerade auf die Hälfte absinkt.
Zwischen den Schleifer des Poti und Gate noch einen 1M-Widerstand, damit die Potistellung nicht die Modulationsspannung beeinflusst.

P.S.:
Dein Transistor ist kein Mosfet, sondern ein N-Kanal Sperrschicht-FET.
Deshalb mußt du das Gate mit einer negativen Spannung vorspannen, sonst ist er voll leitend (um 100 Ohm)!

Der BF245 hat übrigens ähnliche Daten ist aber besser spezifiziert und wohl auch leichter erhältlich.
Von den drei erhältlichen Versionen würde ich hier den BF245A bevorzugen.