Der am Kollektor anliegende Strom kann erst dann zum Emitter durchfließen wenn an der Basis eine bestimmte Spannung anliegt. (ist das so laienhaft ausgedrückt richtig?)
Jein.
Für das richtige Verständnis ist es besser den Bipolar-Transistor so zu sehen, wie ihn sich die Erfinder ausgedacht haben.
Dementsprechend besteht ein Transistor zunächst aus einer Diode, deren Anschlüsse Basis und Emitter heissen. Diese Diode wird in Flussrichtung betrieben und deshalb fliesst ab einer gewissen Basis-Emitter-Spannung (ca. 0,6V bei Silizium) ein Strom.
Dieser Strom kommt dadurch zustande, dass der Emitter (deshalb heisst er so) Ladungsträger in die Basiszone
emittiert (aussendet).
Die Basiszone ist sehr dünn und so werden die meisten dieser Ladungsträger durch das elektrische Feld einer zweiten, aber in Sperrichtung gepolten Diode, nämlich der Kollektor-Basis-Diode abgesaugt.
Wenn man es richtig anstellt (sehr dünne, schwach dotierte Basis), kann man erreichen, dass weit über 99% der durch den Emitter in den Basisraum injiezierten Ladungsträger durch den Kollektor abgesaugt werden und entsprechend weniger als 1% den Basisstrom verursachen.
Dementsprechend kann der Kollektorstrom, der also eigentlich der Sperrstrom einer sehr schlechten Diode ist, über 100mal größer als der Basisstrom sein.
Dieses Verhältnis ist nichts anderes, als die allgemein bekannte so genannte "Stromverstärkung" des Transistors.
D.h. die am Kollektor anliegende Spannung von 12V soll erst durchgelassen werden, wenn die Spannung an der Basis unter 6 Volt fällt.
Es gibt etwas ähnliches, das sind selbstleitende Feldeffekt-Transistoren. (Meist als JFET Sperrschicht- oder Junction-FET bezeichnet)
Sie sind vollkommen anders aufgebaut und werden nicht mit Strom sondern mit Spannung ohne nennenswerten Stromfluss gesteuert. Die Elektroden heissen auch anders: Source, Gate und Drain.
Wenn keine Spannung zwischen Source und Gate anliegt, dann leitet solch ein Transistor zwischen Sorce und Drain und zwar in beiden Richtungen und das schon bei der kleinsten Spannung. Praktisch stellt er einen Widerstand in der Grössenordnung 100 Ohm dar.
Wenn man ans Gate eine gegenüber Source negative Spannung anlegt, dann wird die Leitfähigkeit immer geringer und ab einigen Volt (hängt vom Typ ab) fliesst praktisch überhaupt kein Strom mehr zwischen Source und Drain.
Wenn die Spannung im gesteuerten Kreis mehr als ein paar hundert Millivolt beträgt, dann muss Drain positiv gegenüber Souce sein. Dann funktioniert solch ein Transistor bis zu etwa 30V.
Das Obige bezieht sich auf n-Kanal-JFETs. Genau wie es pnp- und npn-Transistoren gibt, existieren auch p-Kanal-JFETs, bei denen alle Polaritäten umgekehrt sind. Diese haben aber schlechtere Daten und sind deshalb seltener und natürlich teurer.
Der Emitterstrom sollte in meinem Fall deutlich unter 1 Ampere liegen.
Das versteht sich. Die beschriebenen JFETs arbeiten mit Strömen der Größenordnung 5..20mA. Es gibt stärkere, aber die muss man mit der Lupe suchen und das schlägt sich natürlich im Preis nieder.