Ich vermute das diese durch Kapazitäten des FETs zustande kommen. Dafür müsste die Formel: E=0.5*C*U^2 gelten.
Das stimmt nur zum Teil und die Sache ist wesentlich komplizierter.
Die Eingangs- und die Rückwirkungskapazität bestimmen im wesentlichen wieviel Steuerstrom und Steuerleistung man benötigt. Die zugehörigen Verluste entstehen aber hauptsächlich in der externen Schaltung, weil es sich bei den Kapazitäten um Blindwiderstände handelt und der ESR gering ist.
Weil die Rückwirkungskapazität Cgd auch recht gross ist, hat sie insbesondere dann einen grossen Einfluss, wenn der Ausgangsspannungshub hoch ist.
Auch die Art der Last, ob induktiv oder Widerstand, hat auf die Steuerleistung einen erheblichen Einfluss.
Die Ausgangskapazität und die Rückwirkungskapazität bestimmen hauptsächlich, welche Spannungsänderungsgeschwindigkeit sich beim Abschalten einer bestimmten Last am Ausgang erzielen lässt.
Im Ausgangskreis entstehen i.d.R auch die grössten Schaltverluste. Einerseits wird da beim schnellen Einschalten die in Cds und Cgd gespeicherte Energie in Wärme verwandelt, andererseits durchläuft die Ausgangskennlinie beim Abschalten einer Induktivität, bei Widerstandslast auch beim Einschalten, einen Bereich, in welchem gleichzeitig hoher Strom und hohe Spannung auftreten.
Dieser Bereich ist für das Gros der Schaltverluste verantwortlich und je schneller er durchfahren wird, umso geringer sind die Schaltverluste.
Zum schnellen Schalten braucht man aber viel Steuerleistung.
Weil, wie beschrieben, alle Transistoreigenschaften mit denen des Steuer- und Lastkreises wechselwirken, und die erwähnten Kapazitäten darüberhinaus stark nichtlinear sind,
ermittelt man das Verhalten einer konkreten Schaltung heute am besten mit einem Schaltungssimulator wie PSpice.
Die benötigten Transistormodelle, in denen praktisch das gesamte Verhalten des Transistors formuliert ist, stellen die Hersteller i.d.R. kostenlos zu Verfügung.