
ich bin Momentan dabei einen LED-Würfel zu bauen (nichts zum Würfeln, sondern LEDs in Würfelform angeordnet). Ich steuer das Ganze mit einem ATmega328p ohne externen Oszillator. Angeordnet sind die 64 LEDs mit einer Kantenlänge von 4 Stück. Alle Leuchtdioden einer vertikalen Ebene sind mit der Kathode verbunden und jeweils die vier über- / untereinander mit den Anoden.
Für die 16 “Spalten“ habe ich den NPN Transistor https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC546-D.PDF BC546B genommen. Und jetzt zum Entscheidenden: Ich möchte die vier Ebenen abwechselnd sehr schnell auf Masse ziehen und habe mich für diesen NPN Transistor entschieden http://www.onsemi.com/pub/Collateral/BD243B-D.PDF aus dem Datenblatt habe ich aus der Tabelle entnommen, dass der DC Current Gain bei 0,3A (ich muss bis zu 0,32A schalten) und Vce= 4V, 30 beträgt. Aus dem Graphen weiter hinten im Dokument kann man ablesen, dass bei gleicher Stromstärke aber mit Vce = 2V, hfe ca. 100 beträgt. Wie hoch ist meine Collector-Emitter Spannung? Meine Ausgangsspannung beträgt 5V. Dann kommt der Vorwiderstand für die LED, anschließend der “kleine“ Transistor in der CE Strecke. Dann die LED mit 2,4V Spannungsabfall und dann beträgt die Spannung 0V. Dann kommt der große Transistor bei dem Vce nun eigentlich 0V betragen müsste. Ich bin ziemlich ratlos wie groß die Stromverstärkung und der davon abhängige Basiswiderstand ist.

Bei unklarheiten gerne Nachfragen und ich bedanke mich jetzt schon mal für die hoffentlich hilfreichen Antworten.
LG Felix