Hallo,
ich hoffe, dass ich hier in dem Forum richtig bin. Ich schreibe in Physik Facharbeit über die Bestimmung des Planckschen Wirkungsquantums mit Leuchtdioden und habe gerade noch ein (hoffentlich letztes) Verständnis-Problem. Und zwar leuchtet mir noch nicht ein, wieso die e*Diffusionsspannung am PN-Übergang so groß ist, wie der Bandabstand (also Energiedifferenz von Leitungs- und Valenzband) im Halbleiter ist.
Wär schön, wenn ihr mir das erklären könntet...