Hallo zusammen.
Aus einer Schaltung hab ich einen defekten Thyristor ausgebaut und mir das Teil mal genauer angesehen. Ach ja, nach dem Tausch des Thyristors funktionierte die Schaltung wieder einwandfrei.
Thyristor mit Gate-Anschluss bei der Kathode.
- bislang war ich immer der Meinung, dass sich die Durchbruchspannung (Vgt) des PN-Übergangs zwischen Gate und Kathode nur in einer Richtung messen läßt. Beim neuen Thyristor habe ich nämlich sowohl in positiver als auch in negativer Richtung eine Durchbruchspannung (gemessen mit Multimeter -- Diodentest) von etwa 0,3V zwischen Gate und Kathode.
- Der defekte Thyristor hat zwischen Gate und Kathode in positiver Richtung (Gate + / Kathode -) ein Vgt von 0,6V und in negativer Richtung ein nicht meßbares. Des weiteren ist bei rein Ohmscher Messung der Übergangswiderstand zwischen Anode und Kathode etwa doppelt so hoch wie beim funktionierenden Thyristor. Der rein Ohmsche (Ohmmeter) Übergangswiderstand zwischen Gate und Kathode ist in beide Richtungen beim guten etwa 200 Ohm und beim defekten in positiver Richtung ca. 300kOhm und in negativer Richtung so hoch dass es mit meinem Multimeter nicht messbar ist.
Für mich paßt das alles nicht zusammen -- bislang hatte ich bei defekten Halbleiterbauelementen immer einen Kurzschluss. Dass die Teile Hochohmiger werden ist mir bislang nur sehr selten vorgekommen. Oder liegt es hier daran, dass sich im Einschlatzeitpunkt der Strom beim Gateanschluss des Vierschichtkristalls (=Thyristor) konzentriert und hier der Stromanstieg (mit dem Thyristor geschlateter Laststrom zwischen Anode und Kathode) so schnell war, also das zulässige Stromintegral [A²s] lt. Datenblatt überschritten hat, und so der Vierschichtkristall beim Gateanschluss zerstört wurde? Eine andere Erklärung habe ich nicht für den Defekt.
Wenn jemand von euch eine Idee hat bitte, danke.
Gruß Mac Cheesi