Parasitärkapazität

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Parasitärkapazität

Neuer Beitragvon schura1986 am Dienstag 16. Januar 2007, 10:44

Peace!!!

ich habe eine frage bezüglich der parasitärkapazität eines bipolaren transistors.

ich weiß zwar wie diese kapazität entsteht aber ich versteh net ganz wie diese bei hohen frquenzen die bandbreite z.B einer emmiterschaltung beeinflußt :?: :?: :?: :?: :?:

wenn möglich die erklärung mit einem bild dazu.

Danke

Mfg
schura1986
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Neuer Beitragvon Richi am Dienstag 16. Januar 2007, 12:44

Die Parasitätkapazität beschreibt ja grob gesagt die Anzahl der Elektronen die noch im Silizium überschüssig sind. d.h solange zuviele Elektronen im Si sind kann der Transistor nicht sperren da es zu keinem PN Übergang kommt. Um das "abfliessen" der Elektronen zu beschleunigen benutzt man einen "Speed-UP-C" in Emitterschaltung.

Ich hoffe ich hab dir das Bildhaft genug erklärt. Wenn du Bilder haben willst darfst Googlen oder deinen Lehrer fragen ;)
Richi
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Neuer Beitragvon Stromus am Donnerstag 25. Januar 2007, 13:06

Die Tiefpasswirkung des Transistoreingangs wird mit Hilfe des Miller-Theorems untersucht:
Zusätzlich zu der Basis-Emitter Kapazität erscheint noch eine parallel geschaltete Kapazität, als sog. Miller-Kapazität, die sich als Rücktransformation der Kollektor-Basis Kapazität mit der Spannungsverstärkung ergibt.
Miller sagt, dass die Kollektor-Basis-Kapazität als Rückkopplung zwischen Ausgang und Eingang (Kollektor = Ausgang und Basis = Eingang) wie eine größere Kapazität zwischen Basis und Masse erscheint. Die Beziehung lautet:

C_Miller = Cbc x (Vu + 1)

Diese ermittelte Kapazität gemeinsam mit dem Ausgangswiderstand einer davor geschalteten Stufe (was auch immer diese für eine Schaltung darstellt) bilden einen Tiefpass, der die Bandbreite der Emitterschaltung bestimmen
Stromus
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Neuer Beitragvon schura1986 am Freitag 26. Januar 2007, 10:49

jo danke für die mühe aber des alles kenn ich auch aber ich komm da bisle durcheinader bei dem thema wie sich die ströme gegenseiteig bremsen wenn die frequenz zu hoch wird und die kapazitäten zwischen den sperrschichten net mehr ausreicht und die so zusagen kondensatoren im transistor durchbrechen!!!!! :? :? :?

ich weiß auch das bei steigender frequenz der XL kleiner wird ich möchte wissen wie sich die ströme(Ic;Ib) vehalten im falle des durchbruches und was es für auswirkungen auf den frequenzgang hat?


Mfg
schura1986
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Neuer Beitragvon Stromus am Freitag 26. Januar 2007, 11:37

des alles kenn ich


ja klar 8)

kondensatoren im transistor durchbrechen


ist weder sprachlich noch technisch....

ich weiß auch das bei steigender frequenz der XL kleiner


nein tust Du auch nicht

Ja es tut mir leid für die Mühe, aber vielleicht hilft es den anderen.
Stromus
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Neuer Beitragvon schura1986 am Freitag 26. Januar 2007, 12:03

achso hab zwei fragen an dich stromus:

1. bist du hier um zu helfen oder meine deutschkenntnisse zu verbessern?
2.macht es dir spaß jemanden fertig zu machen?

mit XL hab ich eigentlich net den blindwiderstand der spule gemeint sondern des kondensators(Xc), sorry hab mich verschrieben

und bei sogenannten kondensatoren hab ich die pn-schicht im transistor gemeint und net direkt kondesatoren.(ok ich geb es zu, [Biep] formuliert aber es gibt dir kein recht mir zu schreiben das ich nix weiß)

also beim nächsten mal lass bitte deine bemerkungen weg


Mfg
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schura1986
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