Bulk und H-Brücke

[Lusbueb33]

Die Schaltung in untenstehendem Link ist eine H-Brücke

http://de.wikipedia.org/wiki/Bild:H-Bru ... altung.gif

Normalerweise ist ja der Bulk mit Source verbunden. Das ist hier kein Problem, oder? (In der Schaltung ist der Bulk nicht angeschlossen)

Lusbueb33

[Lusbueb33]

Noch zu den N-Kanal-FET's:

Die Spannung zwischen Gate und Source steuert ja den Strom zwischen Drain und Source.
Ich gehe mal davon aus, dass mehrer verschiedene Typen gibt, die man mit unterschiedlichen Spannungen steuern kann. Was ist den so der Standart-Typ?(5V?)

Oder ist das so wie bei den bipolaren Trans. wo sich der Steuerstrom aus dem zu steuernden Strom(Uce) errechnet.

Lusbueb33

[anders]

Du hast Recht, normalwerweise sind bei MOSFETs Substrat und Source intern miteinander verbunden.
Ich kenne auch keine Leistungs-MOSFETs, bei denen das nicht der Fall ist.
Lediglich bei Kleinleistungstransitoren (oder z.B. CD4007) findet man evtl. einen separaten Substratanschluss.
Ich denke, daß die Verbindung in dieser Zeichnung schlicht vergessen wurde.

Wenn du lediglich 5V oder noch weniger zur Ansteuerung zur Verfügung hast, solltest du nach sog. Logic-Level FETs Ausschau halten. Bei denen liegt die Gate-Schwellspannung etwa bei 1...2V.


P.S.:
Bei nicht allzu hohen Spannungen bzw. Leistungen wird man für die oberen Transistoren gerne p-Kanal Typen einsetzen, damit man keine Spannungen braucht, die über die Versorgungsspannung hinausgehen.
Es gibt aber auch spezielle Treiber-ICs, in denen entsprechende Spannungswandler eingebaut sind.