Hallo Freunde.
Ich mag aber keine Transistoren, die so eine niedrigen Spannungsverlust haben, wil die sind bestimmt wieder sauteuer
Das stimmt so nicht.
Wird ein Transistor als Schalter betrieben wäre es im Idealfall so das in Stellung AUS der Transistor sperrt, also kein Strom fließt und die gesamte Spannung an der Kollektor-Emitter-Strecke abfällt (U
ce=U
Betrieb). Das funktioniert auch recht ordentlich bis auf einen Reststrom im Bereich µA bis nA.
In Stellung EIN leitet der Transistor, es fließt Strom und die ganze Spannung fällt an der Last ab (U
ce=0). Das klappt nicht so gut. Es bleiben immer einige 100 mV über. Das ist die sogenannte Sättigungsspannung.
Durch Übersteuerung, also ein Basisstrom der größer ist als es für den Kollektorstrom nötig wäre, kann diese Sättigungsspannung stark verkleinert werden (Übersteuerungsfaktor 2 ... 8 ).
Das hat aber den Nachteil das die Ladungsträger die zur Übersteuerung in die Basisschicht eingebracht worden sind, beim Abschalten erst wieder entfernt werden müssen. daher kommt es zu einer Verzögerung von einigen µs bis ms.
Das gilt für alle Transistoren, auch für die billigen.
Für kleine Ströme ist also ein FET mit einem kleinen Ron die bessere Wahl.
Erst bei größen Strömen verschwinden die Vorteile des FET. Denn auch ein Ron von 10 mOhm verursacht bei einem Strom von 1000A eine Spannung von 10V. Also eine Verlustleistung von 10kW.
Hier wird dann eine Mischung aus FET und Bipolartransistor eingesetzt, der IGBT. Leistungslose Ansteuerung wie bei einem FET, geringe Sättigungsspannung wie bei einem bipolaren Transistor. In der Leistungselektronik gewinnt dieser Typ immer mehr an Bedeutung.
Bis bald,
PeterPan