mit beiden Bauteilen kann ich doch mit Licht einen Strom "steuern". Je mehr Licht einfällt, um so mehr Strom fließt. Und dies in beiden Bauteilen dadurch, dass durch LIcht Ladungsträger in der Sperrschicht gebildet werden
Korrekt.
Ist dann, bis auf die Eigenschaften bezüglich Empfindlichkeit, Ansprechverhalten und das lineare Verhalten (was schon große Unterscheidungs-Punkte sind, dass der Strom bei der Fotodiode max. der Strom ist, der von der Stromquelle geliefert werden kann und auch fließen würde, wenn hier eine direkte Verbindung bestehen würde?
Dieser Satz kein Verb.
...und deshalb verstehe ich ihn nicht.
Und bei Fotoransistor der Strom max. der Stromquellen-Strom plus der Basis-Strom ist?
Das Ersatzschaltbild eines Fototransistors ist ein gewöhnlicher npn-Transistor, zu dessen Kollektor-Basis-Strecke eine Photodiode parallelgeschaltet ist.
Technisch verwendete Photodioden sind meist sehr spezialisiert:
-Allseits bekannt sind ja die Fotovoltaik-Anwendungen, bei denen grosse bis riesige Fotodioden zur Energiegewinnung eingesetzt werden.
Logischerweise wird hier normalerweise überhaupt keine Sperrspannung angelegt.
Allerdings kann das passieren, wenn bei einer Reihenschaltung zur Erzielung höherer Spannung ein Element abgeschattet wird.
Damit dann nicht die Spannung der ganzen Anlage zusammenbricht oder das Modul durch die Sperrspannung beschädigt wird, schaltet man oft noch gruppenweise gewöhnliche Siliziumdioden parallel, die dann den Rückstrom aufnehmen aber normalerweise sperren.
Diese Fotodioden werden hauptsächlich auf maximale Wattzahl/Euro optimiert.
Sperrschichtkapazität und Zeitverhalten interessiert hier nicht.
- Der Bildaufnehmer einer jeden Digitalkamera besteht aus Millionen von Fotodioden.
- Wenn man zwischen p- und n- Schicht noch eine i-Schicht einbaut, wird die Diode dicker und es steigt die Chance, dass ein Photon auch Ladungsträger erzeugt.
Ausserdem sinkt dabei die Sperrschichtkapazität, was der Geschwindigkeit zugute kommt.
Derartige pin-Dioden bilden den Grossteil der verwendeten Fotodioden und sind bis zu etlichen MHz einsetzbar.
- Manche Fotodioden, im Prinzip sind das auch pin-Dioden, sind so dotiert, dass ein einzelnes Photon eine Ladungsträgerlawine auslöst, wenn sie mit sehr hohen Sperrspannungen, knapp unterhalb der Durchbruchsspannung, betrieben werden.
Durch diese innere Verstärkung sind diese APDs (Avalanche Photo Detector) hochempfindliche Detektoren, mit denen man sogar Photonen zählen kann.
Ausserdem sind sie sehr schnell und bis zu einigen hundert MHz verwendbar.
- Als Empfänger in Glasfaserverbindungen können sie mit vielen GHZ moduliertes Licht detektieren. Wegen der Wellenlänge um 1500nm werden dort dann auch andere Materialien als Silizium verwendet.
Das sind nur einige der Anwendungen, für die es spezialisierte Fotodioden gibt.
Verglichen damit ist der Fototransistor -auch preislich- ein armer Verwandter.
Da viele der Optimierungen nicht mit der Transistorfunktion kompatibel sind, muss man beim Fototransistor Kompromisse eingehen. Er ist in vielen Punkten nicht wirklich gut, aber auch nicht ganz schlecht.
In Lichtschranken z.B. schlägt er sich ganz wacker und liefert ein ordentliches Ausgangssignal, aber schon für die 36 kHz einer IR-Fernbedienung nimmt man besser eine Fotodiode.